报道说，在新一代ＬＳＩ制造技术方面，日本国内逐步形成两大阵营竞争的格局。东芝、ＮＥＣ、富士通三家公司正在商讨联合开发事宜。松下和瑞萨加紧合作目的就在于同上述３家公司抗衡。

    松下和瑞萨联合开发的是３２纳米半导体制造工艺，最早将在２０１０年前后实现批量生产。这两家公司将在年内正式达成协议，共同分担数百亿日元的开发费用，用两年左右时间完成开发，并在该技术基础上进入批量生产的准备阶段。

    上述公司计划开发的３２纳米工艺领先于目前在半导体制造中处于尖端位置的６５纳米工艺。集成电路和存储器半导体的线路越细微，越能使电器产品趋向小型化，并提高产品性能。